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Des produits

Nd:YVO4 – Lasers à semi-conducteurs pompés par diode

Brève description:

Nd:YVO4 est l'un des cristaux hôtes laser les plus efficaces actuellement existants pour les lasers à semi-conducteurs pompés par diode laser.Nd:YVO4 est un excellent cristal pour les lasers à semi-conducteurs pompés par diode de haute puissance, stables et économiques.


Détail du produit

Mots clés du produit

Description du produit

Nd:YVO4 peut produire des lasers IR, verts et bleus puissants et stables avec la conception de Nd:YVO4 et des cristaux doublant la fréquence.Pour les applications dans lesquelles une conception plus compacte et une sortie en mode longitudinal unique sont nécessaires, Nd: YVO4 montre ses avantages particuliers par rapport aux autres cristaux laser couramment utilisés.

Avantages de Nd:YVO4

● Faible seuil d'émission laser et efficacité de pente élevée
● Grande section efficace d'émission stimulée à la longueur d'onde laser
● Absorption élevée sur une large bande passante de longueur d'onde de pompage
● Optiquement uniaxial et grande biréfringence émet un laser polarisé
● Faible dépendance à la longueur d'onde de pompage et tendance à une sortie monomode

Propriétés de base

Densité atomique ~1,37x1020 atomes/cm2
Structure en cristal Zircon Tétragonal, groupe spatial D4h, a=b=7,118, c=6,293
Densité 4,22 g/cm2
Dureté de Mohs Similaire à du verre, 4,6 ~ 5
Dilatation thermique
Coefficient
αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K
Point de fusion 1810 ± 25℃
Longueurs d'onde laser 914 nm, 1 064 nm, 1 342 nm
Thermique Optique
Coefficient
ADN/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Émission stimulée
Coupe transversale
25,0 x 10-19 cm2, à 1 064 nm
Fluorescent
Durée de vie
90 ms (environ 50 ms pour 2 atm% dopé au Nd)
@ 808 nm
Coefficient d'absorption 31,4 cm-1 à 808 nm
Longueur d'absorption 0,32 mm à 808 nm
Perte intrinsèque Moins 0,1 % cm-1, à 1 064 nm
Gagner de la bande passante 0,96 nm (257 GHz) à 1 064 nm
Laser polarisé
Émission
parallèle à l'axe optique (axe c)
Diode pompée
Optique à Optique
Efficacité
> 60%
Équation de Sellmeier (pour les cristaux YVO4 purs) non2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
  non2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Paramètres techniques

Concentration de dopant 0,2 ~ 3 atmosphères%
Tolérance aux dopants à moins de 10 % de la concentration
Longueur 0,02 ~ 20 mm
Spécification du revêtement AR à 1064 nm, R < 0,1 % et HT à 808 nm, T > 95 %
HR à 1064 nm, R>99,8 % et HT à 808 nm, T>9 %
HR à 1064 nm, R>99,8 %, HR à 532 nm, R>99 % et HT à 808 nm, T>95 %
Orientation direction cristalline de coupe A (+/-5 ℃)
Tolérance dimensionnelle +/-0,1 mm (typique), haute précision +/-0,005 mm peut être disponible sur demande.
Distorsion du front d'onde <λ/8 à 633 nm
Qualité de surface Mieux que 20/10 Scratch/Creuse selon MIL-O-1380A
Parallélisme < 10 secondes d'arc

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