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Produits

Lasers à semi-conducteurs pompés par diode Nd:YVO4

Brève description :

Le Nd:YVO4 est l'un des cristaux hôtes laser les plus performants actuellement disponibles pour les lasers à solide pompés par diode laser. Il constitue un excellent cristal pour les lasers à solide pompés par diode haute puissance, stables et économiques.


Détails du produit

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Description du produit

Grâce à sa conception et à ses cristaux à doublement de fréquence, le Nd:YVO4 permet de produire des lasers IR, verts et bleus puissants et stables. Pour les applications nécessitant une conception plus compacte et une sortie monomode longitudinale, le Nd:YVO4 présente des avantages particuliers par rapport aux autres cristaux laser couramment utilisés.

Avantages du Nd:YVO4

● Seuil laser bas et efficacité de pente élevée
● Grande section efficace d'émission stimulée à la longueur d'onde laser
● Forte absorption sur une large bande passante de longueur d'onde de pompage
● Optiquement uniaxial et à grande biréfringence émet un laser polarisé
● Faible dépendance à la longueur d'onde de pompage et tendance à une sortie monomode

Propriétés de base

Densité atomique ~1,37x1020 atomes/cm2
Structure cristalline Zircon tétragonal, groupe spatial D4h, a=b=7,118, c=6,293
Densité 4,22 g/cm2
Dureté de Mohs Similaire au verre, 4,6 ~ 5
Dilatation thermique
Coefficient
αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K
Point de fusion 1810 ± 25℃
Longueurs d'onde laser 914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Optique thermique
Coefficient
adn/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Émission stimulée
Coupe transversale
25,0 x 10-19 cm2, à 1 064 nm
Fluorescent
Durée de vie
90 ms (environ 50 ms pour 2 atm% Nd dopé)
à 808 nm
Coefficient d'absorption 31,4 cm-1 à 808 nm
Longueur d'absorption 0,32 mm à 808 nm
Perte intrinsèque Moins de 0,1 % cm-1, à 1 064 nm
Gagner de la bande passante 0,96 nm (257 GHz) à 1064 nm
Laser polarisé
Émission
parallèle à l'axe optique (axe c)
Pompage par diode
Optique à optique
Efficacité
> 60%
Équation de Sellmeier (pour les cristaux YVO4 purs) non2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
  non2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Paramètres techniques

Concentration de dopant Nd 0,2 ~ 3 atm%
Tolérance aux dopants dans les 10 % de concentration
Longueur 0,02 ~ 20 mm
Spécification du revêtement AR à 1064 nm, R< 0,1 % et HT à 808 nm, T> 95 %
HR à 1064 nm, R>99,8 % et HT à 808 nm, T>9 %
HR à 1064 nm, R>99,8 %, HR à 532 nm, R>99 % et HT à 808 nm, T>95 %
Orientation direction cristalline de coupe a (+/-5℃)
Tolérance dimensionnelle +/-0,1 mm (typique), une haute précision +/-0,005 mm peut être disponible sur demande.
Distorsion du front d'onde <λ/8 à 633 nm
Qualité de surface Mieux que 20/10 Scratch/Dig selon MIL-O-1380A
Parallélisme < 10 secondes d'arc

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