ZnGeP2 — Une optique non linéaire infrarouge saturée
Description du produit
Grâce à ces propriétés uniques, il est reconnu comme l'un des matériaux les plus prometteurs pour les applications optiques non linéaires. Le ZnGeP2 peut générer une sortie laser accordable en continu de 3 à 5 μm grâce à la technologie d'oscillation paramétrique optique (OPO). Les lasers fonctionnant dans la fenêtre de transmission atmosphérique de 3 à 5 μm sont d'une importance capitale pour de nombreuses applications, telles que la mesure infrarouge, la surveillance chimique, les appareils médicaux et la télédétection.
Nous pouvons proposer du ZnGeP2 de haute qualité optique avec un coefficient d'absorption extrêmement faible α < 0,05 cm-1 (à des longueurs d'onde de pompage de 2,0 à 2,1 µm), qui peut être utilisé pour générer un laser accordable dans l'infrarouge moyen avec une efficacité élevée via des processus OPO ou OPA.
Notre capacité
La technologie de champ thermique dynamique a été développée et appliquée à la synthèse de ZnGeP2 polycristallin. Grâce à cette technologie, plus de 500 g de ZnGeP2 polycristallin de haute pureté, à gros grains, ont été synthétisés en une seule fois.
La méthode de gel du gradient horizontal combinée à la technologie de striction directionnelle (qui peut réduire efficacement la densité de dislocations) a été appliquée avec succès à la croissance de ZnGeP2 de haute qualité.
Le ZnGeP2 de haute qualité de l'ordre du kilogramme avec le plus grand diamètre au monde (Φ55 mm) a été cultivé avec succès par la méthode de congélation à gradient vertical.
La rugosité et la planéité de surface des dispositifs à cristal, inférieures respectivement à 5 Å et 1/8 λ, ont été obtenues grâce à notre technologie de traitement de surface fin par piège.
L'écart d'angle final des dispositifs à cristal est inférieur à 0,1 degré en raison de l'application d'une orientation précise et de techniques de coupe précises.
Les dispositifs avec d'excellentes performances ont été obtenus grâce à la haute qualité des cristaux et à la technologie de traitement des cristaux de haut niveau (le laser accordable infrarouge moyen de 3 à 5 µm a été généré avec une efficacité de conversion supérieure à 56 % lorsqu'il est pompé par une source lumineuse de 2 µm).
Grâce à une exploration et une innovation techniques continues, notre groupe de recherche maîtrise avec succès la technologie de synthèse de ZnGeP2 polycristallin de haute pureté, la technologie de croissance de ZnGeP2 de grande taille et de haute qualité, ainsi que l'orientation et le traitement de haute précision des cristaux. Il est ainsi en mesure de fournir des dispositifs ZnGeP2 et des cristaux bruts de croissance à grande échelle présentant une grande uniformité, un faible coefficient d'absorption, une bonne stabilité et un rendement de conversion élevé. Parallèlement, nous avons mis en place une plateforme complète de tests de performance des cristaux, ce qui nous permet de fournir des services de tests de performance des cristaux à nos clients.
Applications
● Génération de deuxième, troisième et quatrième harmoniques du laser CO2
● Génération paramétrique optique avec pompage à une longueur d'onde de 2,0 µm
● Génération de deuxième harmonique du laser CO
● Production d'un rayonnement cohérent dans la gamme submillimétrique de 70,0 µm à 1000 µm
● La génération de fréquences combinées de rayonnement laser CO2 et CO et d'autres lasers fonctionnent dans la région de transparence cristalline.
Propriétés de base
| Chimique | ZnGeP2 |
| Symétrie et classe des cristaux | tétragonal, -42m |
| Paramètres du réseau | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Densité | 4,162 g/cm3 |
| Dureté de Mohs | 5.5 |
| Cours d'optique | uniaxe positif |
| Portée de transmission utile | 2,0 µm - 10,0 µm |
| Conductivité thermique @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| Dilatation thermique @ T = 293 K à 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Paramètres techniques
| Tolérance de diamètre | +0/-0,1 mm |
| Tolérance de longueur | ±0,1 mm |
| Tolérance d'orientation | < 30 minutes d'arc |
| Qualité de surface | 20-10 SD |
| Platitude | <λ/4@632.8 nm |
| Parallélisme | <30 secondes d'arc |
| Perpendicularité | < 5 minutes d'arc |
| Chanfreiner | <0,1 mm x 45° |
| Plage de transparence | 0,75 - 12,0 ?m |
| Coefficients non linéaires | d36 = 68,9 pm/V (à 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (à 9,6 μm) |
| Seuil de dommage | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
