Si&InGaAs,PIN&APD, longueur d'onde : 400-1100 nm,900-1700 nm. (Convient pour la télémétrie laser, la mesure de vitesse, la mesure d'angle, la détection photoélectrique et les systèmes de contre-mesure photoélectriques.)
La plage spectrale du matériau InGaAs est de 900 à 1 700 nm et le bruit de multiplication est inférieur à celui du matériau germanium. Elle est généralement utilisée comme région multiplicatrice pour les diodes à hétérostructure. Le matériau convient aux communications par fibre optique à haut débit et les produits commerciaux ont atteint des vitesses de 10 Gbit/s ou plus.