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Produits

Er, YB: YAB-Er, Yb Co – Verre au phosphate dopé

Brève description :

Le verre phosphate co-dopé Er, Yb est un milieu actif bien connu et couramment utilisé pour les lasers émettant dans la gamme « inoffensive pour les yeux » de 1,5 à 1,6 µm. Sa longue durée de vie à un niveau d'énergie de 4 I 13/2 est importante. Bien que les cristaux de borate d'aluminium et d'yttrium co-dopés Er, Yb (Er, Yb : YAB) soient couramment utilisés comme substituts du verre phosphate Er, Yb, ils peuvent être utilisés comme milieu actif « inoffensif pour les yeux », en onde continue et avec une puissance de sortie moyenne plus élevée en mode impulsionnel.


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Description du produit

(Er,Yb : verre phosphate) combine la longue durée de vie (~8 ms) du niveau laser sur 4 I 13/2 Er 3+ avec la faible durée de vie (2-3 ms) du niveau 4 I 11/2 Er 3+, peut générer un état excité de résonance F 5/2 avec Yb 3+ 2 . Relaxation multiphonon non radiative rapide de 4 I 11/2 à 4 I 13/2 en raison des interactions entre les ions Yb 3+ et Er 3+ excités à 2 F 5/2 et 4 I 11/2, respectivement, ce niveau d'énergie réduit considérablement le transfert d'énergie arrière et les pertes de conversion ascendante.
Les cristaux d'aluminate d'yttrium et de borate d'aluminium co-dopés Er 3+, Yb 3+ (Er,Yb:YAB) sont des alternatives au verre Er,Yb:phosphate couramment utilisées et peuvent être utilisés comme milieux actifs « sans danger pour les yeux » (1,5 -1,6 μm) pour les lasers avec une puissance de sortie moyenne élevée en modes CW et pulsé. Il est caractérisé par une conductivité thermique élevée de 7,7 Wm-1 K-1 et 6 Wm-1 K-1 le long des axes a et c, respectivement. Il présente également un transfert d'énergie Yb 3+→Er 3+ à haut rendement (~94%) et une faible perte de conversion ascendante attribuée à la très courte durée de vie (~80 ns) de l'état excité 4 I 11/2 en raison de l'hôte. L'énergie maximale des phonons est élevée (vmax ~1500 cm-1). Une bande d'absorption forte et large (environ 17 nm) a été observée à 976 nm, cohérente avec le spectre d'émission d'une diode laser InGaAs.

Propriétés de base

Coupe cristalline (1×1)-(10×10)mm2
Épaisseur du cristal 0,5-5 mm
Tolérance dimensionnelle ± 0,1 mm
Distorsion du front d'onde ≤λ /8@633nm
Finition 10/5 (MIL-PRF-13830B)
Platitude ≤λ /6@633nm
Parallélisme mieux que 10 secondes d'arc

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